В Иране создан самый быстрый в мире транзистор

01 ноября 2005
Тегеран, 1 ноября 2005 года -- В тегеранском Технологическом университете им. Ходжа Насиреддина Туси создан самый быстрый в мире транзистор.

Как сообщили ИРНА сегодня в отделе по связям с общественностью университета, солитоновый транзистор создан преподавателем Электротехнического факультета ТУ им. Ходжа Насиреддина Туси доктором Фаршидом Раиси.

При создании этого транзистора был использован новый проводниковый материал – солитон, структурно устойчивая одиночная волна, распространяющаяся в нелинейной среде. Солитоны ведут себя подобно частицам: при взаимодействии друг с другом или с некоторыми другими возмущениями они не разрушаются, а расходятся, сохраняя свою структуру неизменной.

По словам изобретателя солитонового транзистора Фаршида Раиси, устройство создано в размере 8/10 миллиметра и выдерживает частоту свыше 8 гигагерц, что в три раза быстрее современных полупроводниковых транзисторов.

Стратегической целью иранский изобретатель считает создание солитонового транзистора в масштабе 100 нанометров с частотой 200 - 300 Ггц для применения в суперкомпьютерах.

Фото: Электротехнический факультет ТУ им. Ходжа Насиреддина Туси

ИРНА

Мнение автора не обязательно совпадает с мнением редакции.
Обнаружили ошибку? Пожалуйста, выделите её и нажмите Ctrl+Enter


    Комментарии

Прокомментируйте новость или высказывание

Постоянный адрес новости:

Поиск

Подписка


Главный редактор Иран.ру
Пишите в
редакцию ИА «Иран.ру»

info@iran.ru

Page load: 0.03852 sec